Sự khác biệt giữa thử nghiệm phóng điện một phần và thử nghiệm hipot là gì?
Cả thử nghiệm phóng điện một phần và thử nghiệm hông là phương pháp quan trọng để kiểm tra cách điện của thiết bị điện. Tuy nhiên, có sự khác biệt đáng kể trong các mục tiêu phát hiện, nguyên tắc kỹ thuật và kịch bản ứng dụng của họ. Thử nghiệm HIPOT tập trung vào việc xác minh tổng thể khả năng cách nhiệt bằng cách áp dụng điện áp cao, trong khi thử nghiệm PD được sử dụng để ngăn chặn việc xả một phần thiết bị trong quá trình thử nghiệm để phát hiện chính xác các khiếm khuyết cách nhiệt của đối tượng thử nghiệm.
Thử nghiệm Hipot: Thử nghiệm này chủ yếu kiểm tra sức mạnh tổng thể của cách nhiệt chính của thiết bị. Bằng cách áp dụng điện áp thử nghiệm cao hơn điện áp làm việc định mức (thường kéo dài trong 1 đến 5 phút), nó xác định liệu cách nhiệt đã bị phá vỡ hay bị rò rỉ nghiêm trọng. Mục tiêu cốt lõi là xác minh "khả năng chống lại thiệt hại" của vật liệu cách nhiệt. Bằng cách áp dụng điện áp cao thông qua máy biến áp kiểm tra tần số hoặc hệ thống thử nghiệm cộng hưởng loạt và sử dụng khả năng dung nạp vật liệu cách điện của vật liệu cách điện trong một điện trường mạnh để xác định trình độ của nó.
Kiểm tra phóng điện một phần: Dựa trên thử nghiệm điện áp chịu được, trọng tâm là phát hiện các tín hiệu phóng điện một phần của đối tượng thử nghiệm dưới điện áp cao. Đồng thời, cần phải có một phần lượng phóng điện của thiết bị thử nghiệm cực kỳ thấp (không có đặc điểm xả) để tránh can thiệp vào tín hiệu phóng điện một phần thực của đối tượng thử nghiệm. Mục tiêu cốt lõi là khám phá "khiếm khuyết bằng kính hiển vi" bên trong lớp cách nhiệt (như khuyết tật sản xuất, thiệt hại lão hóa, v.v.). Bằng cách sử dụng các vật liệu cách điện đặc biệt và tối ưu hóa thiết kế điện trường, số lượng phóng điện một phần của thiết bị thử nghiệm cực kỳ thấp (thường là <5 pc), đảm bảo độ chính xác của tín hiệu phóng điện một phần của các đối tượng thử nghiệm.